近年来，我院高度重视本科创新人才培养。近日，我院应用物理学专业本科学生在国内物理学科知名学术期刊《物理学报》上发表题为“硒化温度对MoSe₂薄膜结构和光学带隙的影响”学术论文，论文第一作者为2021级本科学生吴诗漫，通讯作者为肖剑荣教授（指导教师）。

目前，制备MoSe₂的方法主要有机械剥离法、分子束外延法、水热法、化学气相沉积法等。本工作采用磁控溅射结合化学气相沉积方法制备MoSe₂薄膜。研究发现，随着硒化温度的升高，MoSe₂薄膜的平均晶粒尺寸先略减小后增大，且(002)晶面取向优先生长，其直接带隙对应的波长发生蓝移，光学带隙随之减小。表明通过改变硒化温度可以有效调控MoSe₂结构和光学带隙，为MoSe₂薄膜在光学器件应用方面提供更多可能。

论文链接：https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.73.20240611

(一审：朱鹏飞；二审：肖剑荣；三审：张富文）